Tehopuolijohdeohjainpiiri on tärkeä integroitujen piirien alaluokka, tehokas, jota käytetään IGBT-ohjain-IC:issä taajuusmuuttajan tason ja virran tarjoamisen lisäksi, usein taajuusmuuttajan suojatoiminnoilla, mukaan lukien oikosulkusuojaus desaturaatiosta, alijännitteen sammutus, Millerin puristin, kaksivaiheinen sammutus. , pehmeä sammutus, SRC (slew rate control) jne. Tuotteiden eristyskyky on myös erilainen.Integroituna piirinä sen paketti määrittää kuitenkin suurimman virrankulutuksen, kuljettajan IC-lähtövirta voi joissain tapauksissa olla yli 10 A, mutta se ei silti voi täyttää suurivirtaisten IGBT-moduulien ajotarpeita, tässä artikkelissa käsitellään IGBT-ajoa. nykyinen ja nykyinen laajennus.
Kuinka laajentaa ajurin virtaa
Kun käyttövirtaa on lisättävä tai kun IGBT:tä käytetään suurella virralla ja suurella hilakapasitanssilla, ajurin IC:n virtaa on laajennettava.
Bipolaaristen transistorien käyttö
IGBT-portin ohjaimen tyypillisin rakenne on toteuttaa virran laajennus käyttämällä täydentävää emitteriseuraajaa.Emitterin seuraajatransistorin lähtövirta määräytyy transistorin hFE tai β tasavirtavahvistuksesta ja kantavirrasta IB, kun IGBT:n ohjaamiseen tarvittava virta on suurempi kuin IB*β, transistori tulee lineaariseen työalueeseen ja lähtöön. käyttövirta on riittämätön, silloin IGBT-kondensaattorin lataus- ja purkunopeus hidastuu ja IGBT-häviöt kasvavat.
MOSFETien käyttö
MOSFETeitä voidaan käyttää myös ajurin virran laajentamiseen, piiri koostuu yleensä PMOS + NMOS:sta, mutta piirirakenteen looginen taso on päinvastainen kuin transistorin push-pull.Ylemmän putken PMOS-lähteen rakenne on kytketty positiiviseen virtalähteeseen, portti on alhaisempi kuin tietyn jännitteen PMOS-lähde, ja ohjaimen IC-lähtö on yleensä korkealla tasolla, joten PMOS + NMOS-rakenteen käyttö saattaa vaatia invertterin suunnittelussa.
Bipolaarisilla transistoreilla tai MOSFETeillä?
(1) Tehokkuuserot, yleensä suuritehoisissa sovelluksissa, kytkentätaajuus ei ole kovin korkea, joten johtavuushäviö on tärkein, kun transistorilla on etu.Monet nykyiset korkean tehotiheyden mallit, kuten sähköajoneuvojen moottorikäytöt, joissa lämmönpoisto on vaikeaa ja lämpötilat ovat korkeat suljetussa kotelossa, jolloin hyötysuhde on erittäin tärkeä ja transistoripiirit voidaan valita.
(2) Bipolaaritransistoriratkaisun lähdössä on VCE(sat) aiheuttama jännitehäviö, syöttöjännitettä on lisättävä kompensoimaan käyttöputken VCE(sat) 15 V:n käyttöjännitteen saavuttamiseksi, kun taas MOSFET-ratkaisussa voi melkein saavuttaa kisko-raide-tuotannon.
(3) MOSFET kestää jännitteen, VGS vain noin 20 V, mikä voi olla ongelma, joka vaatii huomiota käytettäessä positiivisia ja negatiivisia virtalähteitä.
(4) MOSFETeillä on negatiivinen lämpötilakerroin Rds(on), kun taas bipolaarisilla transistoreilla on positiivinen lämpötilakerroin, ja MOSFETeillä on lämpöhäiriö, kun ne on kytketty rinnan.
(5) Käytettäessä Si/SiC MOSFETejä, bipolaaritransistoreiden kytkentänopeus on yleensä hitaampi kuin ohjaavien objektien MOSFET:ien, joiden tulisi katsoa käyttävän MOSFETejä virran pidentämiseen.
(6) Tuloasteen kestävyydellä ESD:lle ja ylijännitejännitteelle, bipolaarinen transistorin PN-liitos on merkittävä etu verrattuna MOS-hilaoksidiin.
Bipolaaritransistorit ja MOSFET-ominaisuudet eivät ole samoja, mitä käyttää tai sinun on päätettävä itse järjestelmän suunnitteluvaatimusten mukaisesti.
Nopea fakta NeoDenistä
① Perustettu vuonna 2010, yli 200 työntekijää, yli 8000 neliömetriä.tehdas.
② NeoDen-tuotteet: Smart-sarjan PNP-kone, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, reflow-uuni IN6, IN12, Juotospastatulostin FP2636, PM3040.
③ Menestyneitä yli 10 000 asiakasta ympäri maailmaa.
④ Yli 30 maailmanlaajuista edustajaa Aasiassa, Euroopassa, Amerikassa, Oseaniassa ja Afrikassa.
⑤ T&K-keskus: 3 T&K-osastoa, joissa on 25+ ammattimaista T&K-insinööriä.
⑥ Listattu CE:llä ja saanut yli 50 patenttia.
⑦ Yli 30 laadunvalvonta- ja teknisen tuen insinööriä, 15+ johtavaa kansainvälistä myyntiä, oikea-aikainen asiakas vastaa 8 tunnissa, ammattimaiset ratkaisut 24 tunnin sisällä.
Postitusaika: 17.5.2022